Mosfet IRF540 23A 100V Kênh N là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF540 có công suất là 100W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.
Thông số kỹ thuật.
- Điện áp đánh thủng: 100V.
- Điện áp VGS = +/-20V
- Dòng chịu đựng trung bình: 23A.
- Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
- Công suất: 100W
Mosfet IRF540 23A 100V Kênh N
Mosfet IRF540 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet IRF540 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.
CÁC BẠN CẦN XIN HÃY LIÊN HỆ THEO CÁC THÔNG TIN SAU.
LINH KIỆN ĐIỆN TỬ TPHCM
Địa Chỉ: Số 40/12 Lữ Gia - Phường 15 - Quận 11 - HCM
Điện Thoại: 0963631012 - 0898404333
Website: https://caka.vn/
